作者的详细信息
Рехвиашвили, С. Ш.
| 期 | 栏目 | 标题 | 文件 |
| 卷 53, 编号 3 (2024) | INSTRUMENTATION | The Effect оf Laser Radiation оn Functional Properties of MOS Structures | |
| 卷 52, 编号 6 (2023) | INSTRUMENTATION | OPTICALLY PUMPED BIPOLAR TRANSISTOR | |
| 卷 53, 编号 6 (2024) | INSTRUMENTATION | Tunnel Breakdown Bipolar Transistor |