Перспективы развития электроннолучевой ионнолучевой литографии в России

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Рассмотрены вопросы создания отечественных резистов для процессов электроннолучевой и ионнолучевой литографии. Изготовленные позитивные резисты на основе полиметилметакрилата позволяют создавать наноразмерные структуры. Более того, продемонстрирована возможность применения комбинации созданных резистов в качестве двухслойных резистов. Также продемонстрированы перспективы развития отечественных процессов электроннолучевой и ионнолучевой литографии. В настоящий момент собственные отечественные технологические процессы электроннолучевой и ионнолучевой литографии находятся в стадии демонстраторов. В ближайшей перспективе будут разработаны отечественные установки электроннолучевой и ионнолучевой литографии. Для организации производства отечественных установок ионнолучевой литографии потребуется существенно больше времени.

Об авторах

С. И. Зайцев

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Email: rochtch@iptm.ru
Черноголовка, Россия

Д. В. Иржак

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Email: rochtch@iptm.ru
Черноголовка, Россия

А. И. Ильин

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Email: rochtch@iptm.ru
Черноголовка, Россия

М. A. Князев

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Email: rochtch@iptm.ru
Черноголовка, Россия

Д. В. Рощупкин

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Email: rochtch@iptm.ru
Черноголовка, Россия

В. П. Грачев

ФИЦ проблем химической физики и медицинской химии РАН

Email: rochtch@iptm.ru
Черноголовка, Россия

В. Г. Курбатов

ФИЦ проблем химической физики и медицинской химии РАН

Email: rochtch@iptm.ru
Черноголовка, Россия

Г. В. Малков

ФИЦ проблем химической физики и медицинской химии РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: rochtch@iptm.ru
Черноголовка, Россия

Список литературы

  1. Buitraqgo E., Kulmala T.S., Fallica R., Ekinci Y. EUV lithography process challenge, in book Frontiers of Nanoscience, 2016. vol. 11, pp. 135–176. https://doi.org/10.1016/B978-0-08-100354-1.00004-1
  2. Fu N., Liu Y., Ma X., Chen Z. EUV Lithography: State-of-the-Art Review, J. Microelectron. Manuf. 2019. vol. 2, p. 19020202. https://doi.org/10.33079/jomm.19020202
  3. Grigorescu A.E., Hagen C.W. Resists for sub-20-nm electron beam lithography with a focus on HSQ: state of the art, Nanotechnology, 2009. vol. 20. pp. 292001. https://doi.org/10.1088/0957-4484/20/29/292001
  4. Winston D., Cord B.M., Ming B., Bell D.C. et al. Scanning-helium-ion-beam lithography with hydrogen silsesquioxane resist, J. Vac. Sci. Technol. 2009. B27, pp. 2702–2706.
  5. Shabelnikova Ya.L., Zaitsev S.I. Ion-beam lithography: modelling and analytical description of the deposited in resist energy, Technical Physics, 2022, Vol. 67, pp. 919–92303.
  6. Joshi-Imre A., Bauerdick S. Direct-Write Ion Beam Lithograph, Journal of Nanotechnology, 2014, Article ID170415. https://doi.org/10.1155/2014/170415
  7. Jung Y., Cheng X. Dual-layer thermal nanoimprint lithography without dry etching, J. Micromech. Microeng. 2012, vol. 22, pp. 085011.
  8. Lan H., Ding Y., Liu H., Lu B. Development of a step micro-imprint lithography tool, J. Micromech. Microeng. 2007. vol. 17, pp. 2039–2048.
  9. Sakharov S., Roshchupkin D., Emelin E., Irzhak D., Buzanov O., Zabelin A. X-ray diffraction investigation of high-temperature SAW sensor based on LGS crystal, Procedia Engineering, 2011, vol. 25, pp. 1020–1023.
  10. Grigoriev M., Fakhrtdinov R., Irzhak D. et al. Two-dimensional X-ray focusing by off-axis grazing incidence phase Fresnel zone plate on the laboratory X-ray source, Optics Communications, 2017. vol. 385, pp. 15–18.
  11. Irzhak D.V., Knyasev M.A., Punegov V.I. and Roshchupkin D.V. X-ray diffraction by phase diffraction gratings, J. Appl. Cryst. 2015. vol. 48, pp. 1159–1164.
  12. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии, Москва: Мир, 1985, 494 с.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Российская академия наук, 2025