Исследование пластичности мемристивных структур на основе эпитаксиальных пленок Nd2–xCexCuO4–y
- Авторы: Тулина Н.А.1, Россоленко А.Н.1, Шмытько И.М.1, Борисенко И.Ю.2, Иванов А.А.3
-
Учреждения:
- Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН
- Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
- Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
- Выпуск: № 5 (2024)
- Страницы: 8-15
- Раздел: Статьи
- URL: https://rjdentistry.com/1028-0960/article/view/664636
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096024050025
- EDN: https://elibrary.ru/FUQYHV
- ID: 664636
Цитировать
Аннотация
Приведены импульсные исследования резистивных переключений в мемристивных планарных гетероконтактах на основе эпитаксиальных пленок Nd2–xCexCuO4–y. Изучена возможность регулирования резистивных метастабильных состояний мемристивных планарных систем на основе таких пленок по определенным протоколам импульсных исследований. Были реализованы разные метастабильные состояния при изменении внешних параметров: частоты, величины напряжения электрического поля, прикладываемого к гетероконтактам. Исследованы динамические эффекты, определены времена переходов из одного метастабильного состояния в другое. Непосредственно исследовано изменение электродинамических свойств в процессе воздействия переменного электрического поля синусоидальной формы при частотах 10–3 Гц и в импульсном режиме при длительности импульса от 0.1 мс до 25 с посредством измерения вольт-амперных характеристик, записи осциллограмм тока и напряжения на гетероконтакте и температурных зависимостей сопротивления метастабильных фаз. Многоуровневый характер метастабильных резистивных состояний исследованных систем и возможность регулировать время переключения характеризуют пластичность этих устройств и перспективы их использования в качестве элементов памяти для нейроморфных приложений в спайковых нейросетях.
Полный текст

Об авторах
Н. А. Тулина
Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: tulina@issp.ac.ru
Россия, Черноголовка
А. Н. Россоленко
Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН
Email: tulina@issp.ac.ru
Россия, Черноголовка
И. М. Шмытько
Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН
Email: tulina@issp.ac.ru
Россия, Черноголовка
И. Ю. Борисенко
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
Email: tulina@issp.ac.ru
Россия, Черноголовка
А. А. Иванов
Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”
Email: tulina@issp.ac.ru
Россия, Москва
Список литературы
- Yang J.J., Strukov D.B., Stewart D.R. // Nature Materials. 2013. V. 8. P. 13. https://www.doi.org/10.1038/nnano.2012.240
- Chen A. // Solid-State Electron. 2016. V. 125. P. 25. https://www.doi.org/10.1016/j.sse.2016.07.006
- Wang C., Wu H., Gao B., Zhang T., Yang Y., Qian H. // Microelectron. Eng. 2018. V. 187–188. P. 121. https://www.doi.org/10.1016/j.mee.2017.11.003
- Li Y., Wang Z., Midya R., Xia Q., Yang J.J. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 2018. V. 51. P. 503002. https://www.doi.org/ 10.1088/1361-6463/aade3f
- Pérez-Tomás A. // Adv. Mater. Interfaces. 2019. V. 6. P. 1970096. https://www.doi.org/10.1002/admi.201900471
- Mikhaylov A, Pimashkin A, Pigareva Y, Gerasimova S., Gryaznov E., Shchanikov S., Zuev A., Talanov M., Lavrov I., Demin V., Erokhin V., Lobov S., Mukhina I., Kazantsev V., Wu H., Spagnolo B. // Frontiers Neu-rosci. 2020. V. 14. P. 358. https://www.doi.org/10.3389/fnins.2020.00358
- International Technology Roadmap for Semicon-ductors and the Semiconductor Technology Roadmap (2023) Semiconductor Industry Association. https://www.semiconductors.org/wpcНРСtent/up-loads/2018/06/0_2015-ITRS-2.0-Executive-Report
- Tulina N.A., Ivanov A.A. // J. Supercond. Nov. Magn. 2020. V. 33. P. 2279. https://www.doi.org/10.1007/s10948-019-05383-3
- Тулина Н.А., Россоленко А.Н., Шмытько И.М., Иванов А.А., Ионов А.М., Божко С.И., Сироткин В.В. // Наноиндустрия. 2019. Т. 89. С. 237. https://www.doi.org/10.22184/NanoRus.2019.12.89. 237.240
- Thomas A. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2013. V. 46. P. 093001. https://www.doi.org/10.1088/0022-3727/46/9/093001
- Stoliar P., Tranchant J., Corraze B., Janod E., Bes-land M.-P., Tesler F., Rozenberg M., Cario L. // Adv. Functional Mater. 2017. V. 27. P. 1604740. https://www.doi.org/10.1002/adfm.201604740
- Tulina N.A., Rossolenko A.N., Ivanov A.A, Sirotkin V.V., Shmytko I.M., Borisenko I.Yu., Ionov А.М. // Physica C: Superconduct. Appl. 2016. V. 527. P. 41. https://www.doi.org/10.1016/j.physc.2016.05.015
- Mang P.K., Larochelle S., Mehta A., Vajk O.P., Erickson A.S., Lu L., Buyers W.J.L., Marshall A.F., Prokes K., Greven M. // Phys. Rev. B. 2004. V. 70. P. 094507. https://www.doi.org/10.1103/PhysRevB.70.094507
- Serb A., Khiat A., Prodromakis T. // IEEE Trans. Electron Devices. 2015. V. 62. P. 3685. https://www.doi.org/10.1109/TED.2015.2478491
- Berdan R., Serb A., Khiat A., Regoutz A., Papavassi- liou Ch., Prodromakis T. // IEEE Trans. Electron Devices. 2015. V. 62. P. 2190. https://www.doi.org/10.1109/TED.2015.2433676
- Tulina N.A., Rossolenko A.N., Shmytko I.M., Ivanov A.A., Sirotkin V.V., Borisenko I.Y., Tulin V.A. // Supercond. Sci. Technol. 2019. V. 32. P. 015003. https://www.doi.org/10.1088/1361-6668/aae966
- Tulina, N.A., Ivanov, A.A., Rossolenko. Ivanov A.A., Sirotkin V. V., Shmytko I.M., Borisenko I.Y., Ionov A.M. // Mater. Lett. 2017. V. 203. P. 97. https://www.doi.org/10.1016/j.matlet.2017.05.091
- Acha C. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2011. V. 44. P. 345301. https://www.doi.org/10.1088/0022-3727/44/34/345301
- Tulina N.A., Borisenko I.Yu. // Phys. Lett. A. 2008. V. 372. P. 918. https://www.doi.org/10.1016/j.physleta.2007.08.045
- Sirotkin V.V., Tulina N.A., Rossolenko A.N., Borisenko I.Yu. // Bull. RAS. 2016. V. 80. P. 497. https://www.doi.org/10.3103/S1062873816050191
- Tulina N.A., Shmytko I.M., Ivanov A.A., Rossolenko A.N., Zotov A.V., Borisenko I.Y., Sirorkin V.V., Tulin V.A. // Rus. Microelectronics. 2022. V. 51. № 5. P. 349. https://www.doi.org/10.1134/s1063739722050110
Дополнительные файлы
