Влияние изгиба отражающих плоскостей на распространение аномальной волны при дифракции рентгеновского излучения в кристаллах

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Методами численного моделирования изучено влияние изгиба отражающих плоскостей на распространение аномальной волны при дифракции рентгеновского излучения в кристаллах. Установлено, что знак изгиба отражающих плоскостей кардинальным образом влияет на распространение рентгеновского волнового поля в кристалле. Показано, что при определенных параметрах изгиба подавляется эффект Бормана.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

И. А. Смирнова

Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН

Email: suvorov@issp.ac.ru
Россия, 142432, Московская область, Черноголовка

Э. В. Суворов

Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: suvorov@issp.ac.ru
Россия, 142432, Московская область, Черноголовка

Список литературы

  1. Грушко Ю.С., Лапин Е.Г., Сумбаев О.И., Тю- нис А.В. // ЖЭТФ. 1978. Т. 74. Вып. 6. С. 2280.
  2. Суворов Э.В., Смирнова И.А. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2008. № 10. С. 7.
  3. Смирнова И.А., Суворов Э.В., Шулаков Е.В. // ФТТ. 2007. T. 49. Вып. 6. С. 1050.
  4. Суворов Э.В. Смирнова И.А. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2021. № 12. С. 23. https://doi.org/10.31857/S1028096021120232
  5. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972. 599 с.
  6. Takagi S.J. // J. Phys. Soc. Jpn. 1969. V. 26. № 5. P. 1239.
  7. Инденбом В.Л., Чуховский Ф.Н. // Кристаллография. 1971. Т. 16. № 6. С. 1101.
  8. Инденбом В.Л., Чуховский Ф.Н. // УФН. 1972. Т. 107. № 2. С. 229.
  9. Authier A. Dynamical Theory of X-ray Diffraction. Oxford: Oxford University Press, 2002. 674 p.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Краевая дислокация: а – плоское изображение поля локальной разориентации [5] (m – плоскость зеркальной симметрии, n – плоскость цветной симметрии); б – наблюдаемое в эксперименте дифракционное изображение [2] (монокристалл Si толщиной 1810 мкм, поверхность кристалла (111), отражение 2_20, излучение CuKα).

Скачать (215KB)
3. Рис. 2. Трехмерное изображение поля локальной разориентации β краевой дислокации (а); двумерные сечения, параллельные плоскости Yβ, на расстояниях от начала координат x1 = 35, x2 = –35 мкм; в – сечение, параллельное плоскости Xβ, при x = 0.

Скачать (414KB)
4. Рис. 3. Схема обозначения знаков изгиба отражающих плоскостей, использованных в работе: hkl – индексы отражающих плоскостей; R – радиус изгиба отражающих плоскостей; Khkl – вектор дифракции.

Скачать (145KB)
5. Рис. 4. Относительная интенсивность I/Iид аномального (бормановского) волнового поля в центре треугольника рассеяния в зависимости от радиуса изгиба R отражающих плоскостей (нормирована на интенсивность идеального кристалла Iид).

Скачать (119KB)
6. Рис. 5. Численное моделирование волнового поля в треугольнике рассеяния в случае толстого кристалла при разных знаках изгиба отражающих плоскостей.

Скачать (93KB)
7. Рис. 6. Фрагменты волнового поля в треугольниках рассеяния тонкого кристалла (150 мкм), где присутствуют нормальная и аномальная волны (численное моделирование).

Скачать (151KB)
8. Рис. 7. Графики относительной интенсивности ΔI = Iик – IR, R: +300 (1); –300 м (2).

Скачать (118KB)

© Российская академия наук, 2024