Транзисторные генераторы мощных прямоугольных импульсов с субмикросекундной длительностью

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription Access

Abstract

Приведены результаты сравнительных исследований генераторов мощных субмикросекундных импульсов прямоугольной формы, в которых коммутатор выполнен в виде транзисторного блока с трансформаторной цепью управления. Рассмотрен блок из десяти последовательно соединенных транзисторов, способный на частоте 2 кГц коммутировать в резистивную нагрузку 150 Ом прямоугольные импульсы тока с амплитудой 50 А и длительностью до 1 мкс, имеющие фронт и спад менее 50 нс. Определена возможность увеличения коммутируемой мощности путем увеличения силового напряжения до десятков кВ.

Full Text

Restricted Access

About the authors

С. В. Коротков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Author for correspondence.
Email: korotkov@mail.ioffe.ru
Russian Federation, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26

А. Л. Жмодиков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: korotkov@mail.ioffe.ru
Russian Federation, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26

Д. А. Коротков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: korotkov@mail.ioffe.ru
Russian Federation, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26

References

  1. Грехов И.В., Козлов А.К., Коротков С.В., Рольник И.А., Степанянц А.Л. // ПТЭ. 2002. № 5. С. 102.
  2. Малашин М.В., Мошкунов С.И., Хомич В.Ю., Шершунова Е.А. // ПТЭ. 2016. № 2. С. 71. https://doi.org/10.7868/S0032816216020099
  3. Коротков С.В., Аристов Ю.В., Жмодиков А.Л., Козлов А.К., Коротков Д.А. // ПТЭ. 2018. № 1. С. 42. https://doi.org/10.7868/S0032816218010202

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download
2. Fig. 1. Electrical circuit of the experimental generator: D – BZV55C15; Tr: w1 = 1, w2 = 3 (core – ferrite No. 87 from Epcos with dimensions 16×9.6×12.6 mm3); V – МIC4452.

Download (163KB)
Indexing metadata
3. Fig. 2. Oscillograms of the power current I, voltage UT on the transistor T, voltage Uу on the gate of the transistor T and the starting current Iw1 in the control circuit. Vertical scales: current I – 25 A/div., voltage UT – 200 V/div., voltage Uу – 5 V/div., current Iw1 – 10 A/div., horizontal scales – 100 ns/div.

Download (330KB)
Indexing metadata
4. Fig. 3. Oscillograms of voltage Uу on the gate of IRG4PF50WD and currents I1–I4 through the transistor block. Vertical scales: currents I1–I4 – 15 A/div., voltage Uу – 10 V/div., horizontal scales – 40 ns/div.

Download (361KB)
Indexing metadata
5. Fig. 4. Oscillograms of the power current I and voltage U on the SiC transistor block. Vertical scales: current – ​​5 A/div, voltage – 500 V/div, horizontal – 20 ns/div.

Download (321KB)
Indexing metadata
6. Fig. 5. Oscillograms of power currents I1, I2 and voltages U1, U2 on the IGBT transistor block IRG4PF50WD. Vertical scales: currents I1, I2 – 15 A/div., voltages U1, U2 – 2 kV/div., horizontal scales – 200 ns/div.

Download (345KB)
Indexing metadata

Copyright (c) 2024 Russian Academy of Sciences