Транзисторные генераторы мощных прямоугольных импульсов с субмикросекундной длительностью

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Приведены результаты сравнительных исследований генераторов мощных субмикросекундных импульсов прямоугольной формы, в которых коммутатор выполнен в виде транзисторного блока с трансформаторной цепью управления. Рассмотрен блок из десяти последовательно соединенных транзисторов, способный на частоте 2 кГц коммутировать в резистивную нагрузку 150 Ом прямоугольные импульсы тока с амплитудой 50 А и длительностью до 1 мкс, имеющие фронт и спад менее 50 нс. Определена возможность увеличения коммутируемой мощности путем увеличения силового напряжения до десятков кВ.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

С. В. Коротков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Автор, ответственный за переписку.
Email: korotkov@mail.ioffe.ru
Россия, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26

А. Л. Жмодиков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: korotkov@mail.ioffe.ru
Россия, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26

Д. А. Коротков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Email: korotkov@mail.ioffe.ru
Россия, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26

Список литературы

  1. Грехов И.В., Козлов А.К., Коротков С.В., Рольник И.А., Степанянц А.Л. // ПТЭ. 2002. № 5. С. 102.
  2. Малашин М.В., Мошкунов С.И., Хомич В.Ю., Шершунова Е.А. // ПТЭ. 2016. № 2. С. 71. https://doi.org/10.7868/S0032816216020099
  3. Коротков С.В., Аристов Ю.В., Жмодиков А.Л., Козлов А.К., Коротков Д.А. // ПТЭ. 2018. № 1. С. 42. https://doi.org/10.7868/S0032816218010202

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Электрическая схема опытного генератора: D – BZV55C15; Тр: w1 = 1, w2 = 3 (сердечник – феррит № 87 фирмы Epcos с размерами 16×9.6×12.6 мм3); V – МIC4452.

Скачать (163KB)
3. Рис. 2. Осциллограммы силового тока I, напряжения UТ на транзисторе Т, напряжения Uу на затворе транзистора Т и тока запуска Iw1 в цепи управления. Масштабы по вертикали: тока I – 25 А/дел., напряжения UТ – 200 В/дел., напряжения Uу – 5 В/дел., тока Iw1 – 10 А/дел., по горизонтали – 100 нс/дел.

Скачать (330KB)
4. Рис. 3. Осциллограммы напряжения Uу на затворе IRG4PF50WD и токов I1–I4 через транзисторный блок. Масштабы по вертикали: токов I1–I4 – 15 А/дел., напряжения Uу – 10 В/дел., по горизонтали – 40 нс/дел.

Скачать (361KB)
5. Рис. 4. Осциллограммы силового тока I и напряжения U на блоке SiC-транзисторов. Масштабы по вертикали: тока – 5 А/дел, напряжения – 500 В/дел., по горизонтали – 20 нс/дел.

Скачать (321KB)
6. Рис. 5. Осциллограммы силовых токов I1, I2 и напряжений U1, U2 на блоке IGBT-транзисторов IRG4PF50WD. Масштабы по вертикали: токов I1, I2 – 15 А/дел., напряжений U1, U2 – 2 кВ/дел., по горизонтали – 200 нс/дел.

Скачать (345KB)

© Российская академия наук, 2024