Влияние алюминия на структуру и электрические свойства аморфных алмазоподобных кремний-углеродных пленок
- Авторы: Попов А.И.1,2, Пресняков М.Ю.3, Домашевская Э.П.4, Терехов В.А.4, Семенов-Шефов М.А.1, Афанасьев В.П.1, Чуканова Т.С.1, Зезин Д.А.1,2, Емец В.М.1, Баринов А.Д.1,2, Шапетина М.А.5
-
Учреждения:
- Национальный исследовательский университет “МЭИ”
- Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН
- Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
- Воронежский государственный университет
- Московский педагогический государственный университет
- Выпуск: № 11 (2023)
- Страницы: 24-32
- Раздел: Статьи
- URL: https://rjdentistry.com/1028-0960/article/view/664715
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096023110171
- EDN: https://elibrary.ru/LXCJUQ
- ID: 664715
Цитировать
Аннотация
Исследовано влияние слабо образующего карбиды металла – алюминия – на фазовый состав, структуру и электрофизические свойства аморфных алмазоподобных кремний-углеродных пленок. Проведено сравнение полученных результатов с влиянием на те же характеристики карбид-образующих переходных металлов – титана и гафния. Показано, что влияние алюминия и переходных металлов на структуру и свойства кремний-углеродных пленок принципиально различно. Введение алюминия в широком диапазоне концентраций, в отличие от переходных металлов, не приводит к образованию в пленках нанокристаллической фазы. Концентрационные зависимости электропроводности при введении алюминия имеют плавный, монотонный характер, а при введении переходных металлов – ярко выраженный перколяционный, а абсолютные значения изменений электропроводности различаются на порядки. Проведенный комплекс исследований позволил сделать заключение, что причины указанных различий обусловлены взаимодействием вводимых металлов с разными химическими элементами пленки. Атомы переходных металлов взаимодействуют, в основном, с атомами углерода с образованием высокопроводящих нанокристаллов карбидов. В противоположность этому атомы алюминия в основном взаимодействуют с атомами кислорода и формируют аморфную фазу оксида алюминия.
Об авторах
А. И. Попов
Национальный исследовательский университет “МЭИ”; Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: popovai2009@gmail.com
Россия, 111250, Москва; Россия, 119991, Москва
М. Ю. Пресняков
Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
Email: barinovad@mpei.ru
Россия, 123182, Москва
Э. П. Домашевская
Воронежский государственный университет
Email: barinovad@mpei.ru
Россия, 394006, Воронеж
В. А. Терехов
Воронежский государственный университет
Email: barinovad@mpei.ru
Россия, 394006, Воронеж
М. А. Семенов-Шефов
Национальный исследовательский университет “МЭИ”
Email: barinovad@mpei.ru
Россия, 111250, Москва
В. П. Афанасьев
Национальный исследовательский университет “МЭИ”
Email: barinovad@mpei.ru
Россия, 111250, Москва
Т. С. Чуканова
Национальный исследовательский университет “МЭИ”
Email: barinovad@mpei.ru
Россия, 111250, Москва
Д. А. Зезин
Национальный исследовательский университет “МЭИ”; Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН
Email: barinovad@mpei.ru
Россия, 111250, Москва; Россия, 119991, Москва
В. М. Емец
Национальный исследовательский университет “МЭИ”
Email: barinovad@mpei.ru
Россия, 111250, Москва
А. Д. Баринов
Национальный исследовательский университет “МЭИ”; Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: barinovad@mpei.ru
Россия, 111250, Москва; Россия, 119991, Москва
М. А. Шапетина
Московский педагогический государственный университет
Email: barinovad@mpei.ru
Россия, 119991, Москва
Список литературы
- Meškinis Š., Tamulevičien’e A. // Mater. Sci. 2011. V. 17. № 4. P. 358. https://doi.org/10.5755/j01.ms.17.4.770
- Vencatraman C., Goel A., Lei R., Kester D., Outten C. // Thin Solid Films. 1997. V. 308–309. P. 173. https://doi.org/10.1016/S0040-6090(97)00384-2
- Mangolini F., Krick B.A., Jacobs T.D.B., Khanal S.R., Streller F., McClimon J.B., Hilbert J., Prasad S.V., Scharf T.W., Ohlhausen J.A., Lukes J.R., Sawyer W.G., Carpick R.W. // Carbon. 2018. V. 130. P. 127. https://doi.org/10.1016/j.carbon.2017.12.096
- Zavedeev E.V., Zilova O.S., Shupegin M.L., Barinov A.D., Arutyunyan N.R., Roch T., Pimenov S.M. // Appl. Phys. A. 2016. V. 122. P. 961. https://doi.org/10.1007/s00339-016-0508-7
- Bociaga D., Sobczyk-Guzenda A., Szymanski W., Jedrzejczak A., Jastrzebska A., Olejnik A., Swiatek L., Jastrzebski K. // Vacuum. 2017. V. 143. P. 395. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2017.06.027
- Величко М.А., Гладких Ю.П. // Науч. ведомости Белгородского НИУ: Сер. Математика. Физика. 2016. № 6 (227). Вып. 42. С. 115.
- Barinov A.D., Popov A.I., Presnyakov M.Yu. // Inorg. Mater. 2017. V. 53. № 7. P. 690. https://doi.org/10.1134/S0020168517070019
- Popov A.I., Barinov A.D., Presniakov M.Y. // J. Nanoelectronics Optoelectronics. 2015. V. 9. № 6. P. 787. https://doi.org/10.1166/jno.2014.1678
- Frolov V.D., Pimenov S.M., Zavedeev E.V., Konov V.I., Lubnin E.N., Kirpienko G.G. // J. Surf. Invest. X-ray, Synchrotron Neutron Tech. 2007. V. 1. № 3. P. 3203. https://doi.org/10.1134/S1027451007030135
- Шупегин М.Л. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2013. Т. 79. № 2. С. 28.
- Белогорохов А.И., Додонов А.М., Малинкович М.Д., Пархоменко Ю.Н., Смирнов А.П., Шупегин М.Л. // Известия вузов. Материалы электронной техники. 2007. № 1. С. 69.
- Попов А.И., Баринов А.Д., Емец В.М., Кастро Арта Р.А., Колобов А.В., Кононов А.А., Овчаров А.В., Чуканова Т.С. // ФТТ. 2021. Т. 63. № 11. С. 1844.
- Пресняков М.Ю., Попов А.И., Усольцева Д.С., Шупегин М.Л., Васильев А.Л. // Российские нанотехнологии. 2014. Т. 9. № 7–8. С. 59. https://doi.org/10.1134/S1995078014050139
- Naumkin A.V., Kraut-Vass A., Gaarenstroom S.W., Powell C.J. // NIST X-ray Photoelectron Spectroscopy Database. Version 4.1. 2012. https://doi.org/10.18434/T4T88K
- Попов А.И., Афанасьев В.П., Баринов А.Д., Бодиско Ю.Н., Грязев А.С., Мирошникова И.Н., Пресняков М.Ю., Шупегин М.Л. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2019. № 9. С. 49. https://doi.org/10.1134/S0207352819090129
- Jansson U., Lewin E. // Thin Solid Films. 2013. V. 536. P. 1. https://doi.org/10.1016/J.TSF.2013.02.019
- Bouabibsa I., Lamri S., Sanchette F. // Coatings. 2018. V. 8. Iss. 10. P. 370. https://doi.org/10.3390/coatings8100370
- Попов А.И., Баринов А.Д., Емец В.М., Чуканова Т.С., Шупегин М.Л. // ФТТ. 2020. Т. 62. Вып. 10. С. 1612.
- Popov A. Disordered Semiconductors: Physics and Applications (2nd Edition). Pan Stanford Publishing, 2018. 330 p. https://doi.org/10.1201/b22346
- Борисова Т.М., Кастро Р.А. // Труды МФТИ. 2013. Т. 5. № 1. С. 21.
Дополнительные файлы
